IGBT ve MOSFET Arasındaki Fark

IGBT ile MOSFET

MOSFET (Metal Oksit Semiconductor Field Effect Transistor) ve IGBT (Yalıtılmış Giriş Bipolar Transistör) dir İki tip transistör ve her ikisi de kapı tahrikli kategoriye aittir. Her iki cihaz da, farklı yarıiletken katmanlarına sahip benzeri görünümlü yapılara sahiptir.

Metal Oksit Yarıiletken Alan Etkili Transistör (MOSFET)

MOSFET, 'Gate', 'Source' ve 'Drain' olarak bilinen üç terminalden oluşan Field Effect Transistor (FET) tipidir. Burada, drain akımı gate voltajı ile kontrol edilir. Bu nedenle, MOSFET'ler voltaj kontrollü cihazlardır.

MOSFET'ler n kanal veya p kanal gibi dört farklı tipte mevcuttur, tükenme veya güçlendirme modundadır. Boşaltma ve kaynak, n kanallı MOSFET'ler için n tipi yarı iletken ve p kanallı aygıtlar için benzer şekilde yapılır. Kapı metalden yapılmış ve bir metal oksit kullanılarak kaynaktan ve boşaltmadan ayrılmıştır. Bu yalıtım düşük güç tüketimine neden olur ve MOSFET'de bir avantajdır. Bu nedenle, MOSFET, güç tüketimini en aza indirgemek için p ve n kanallı MOSFET'lerin yapı taşları olarak kullanıldığı dijital CMOS mantıklarında kullanılır.

MOSFET kavramı çok erken (1925'te) önerilmiş olmasına rağmen, pratik olarak 1959'da Bell laboratuarlarında uygulanmıştır.

Yalıtılmış Giriş Bipolar Transistör (IGBT)

IGBT, 'Emitter', 'Collector' ve 'Gate' olarak bilinen üç terminali bulunan yarı iletken bir cihazdır. Bu, yüksek güç miktarını idare edebilen ve yüksek bir anahtarlama hızına sahip olan, yüksek verimli bir transistor türüdür. IGBT 1980'lerde pazara sunuldu.

IGBT hem MOSFET hem de bipolar jonksiyon transistörünün (BJT) kombine özelliklerine sahiptir. MOSFET gibi kapı sürülür ve BJT'ler gibi akım gerilimi özelliklerine sahiptir. Bu nedenle, hem yüksek akım taşıma kapasitesi hem de kontrol kolaylığı avantajları vardır. IGBT modülleri (bir kaç cihazdan oluşur), kilovat güç kullanabilir.

IGBT ve MOSFET arasındaki fark 1. Her ne kadar IGBT ve MOSFET voltaj kontrollü cihazlar olmasına rağmen, IGBT BJT'ye benzer iletkenlik özelliklerine sahiptir. 2. IGBT'nin terminalleri emitör, toplayıcı ve kapı olarak bilinirken MOSFET, kapı, kaynak ve drain'den oluşur. 3. IGBT'ler, güç kullanımında MOSFET'lerden 4 daha iyi. IGBT'nin PN kavşakları vardır ve MOSFET'lerin bunlara sahip değildir. 5. IGBT, MOSFET 6'ya kıyasla daha düşük bir ileri gerilim düşüşüne sahiptir. MOSFET, IGBT'ye kıyasla uzun bir geçmişi var